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湿化学过程

半导体制造 - 湿化学过程

电镀或化学沉积

尽管这是半导体芯片制造业的较小分工,但它仍然起到至关重要的作用。湿化学过程用于芯片制造中的蚀刻,清洁和其他阶段。在第一晶片制备后,可以清洁并冲洗晶片。在该阶段,从晶片表面除去残留颗粒和其他污染物。然后,晶片可以暴露于用于粘合促进和光致抗蚀剂沉积的化学物质。此外,在将光致抗蚀剂施加到晶片表面之后,晶片可以暴露于许多光刻阶段。然后,然后可以将晶片暴露于光致抗蚀剂剥离和液体溶液中。光致抗蚀剂汽提溶液通常需要有机溶剂或侵蚀性酸。

简而言之,湿化学过程仍然用于晶片和基材的加工中,特别是在这两个主要区域:

  • 在制造过程的各个阶段中除去有机,氧化物或金属和离子污染物。方法包括RCA或SC1和SC2清洁和抗湿带。
  • 铜在互连或3D包装中的应用需要电化学沉积或无电化学沉积。

除了高耐受特定化学品之外,密封材料对清洁或剥离流体没有贡献有机或痕量金属污染至关重要。

推荐产品将有助于充分的选择:菲律宾亚博会

  • 低化学侵蚀率
  • 薄粘结弹性体材料装置的低针孔
  • 降低耗材成本(COC)
  • 依赖于安装的成本优化推荐
  • 最小化对器件产量和电源的影响
  • 低痕量金属污染
  • 在ECD中最小化铜板
  • 必要时低粒子释放速率

湿化学工艺应用

湿化学工艺中的密封件的装置就像在一般化学工艺行业中看到的安装。尽管足够的凹槽设计对于密封性能至关重要,但沟槽设计不需要考虑弹性体热膨胀。工艺化学品的泄漏可导致环境暴露的问题。液体化学物体必须在适当的密封容器中运输,以防止气体/流体泄漏到环境中。考虑到容器可以在使用前相当长的时间设置,因此弹性体需要保持完整性。密封件应抵抗压缩集,不应该溶胀侵略性化学溶液。

仪表密封- 实例包括用于流量计,电导率探针和温度探针的密封件。通常,当暴露于许多侵蚀性溶剂时,o环形密封件必须保持其完整性(没有恶化)。足够的密封设计对于这些装置至关重要。

法兰配件- 化学品运输和管道所需。这些弹性体必须抵抗 - 没有降解或泄漏 - 各种侵略性化学品。密封件的劣化可能导致进入环境或颗粒或金属离子的释放到过程流中。

湿化学过程

湿化学过程中的材料要求 -全氟弹性体(FFKM)

全氟弹性体(FFKM)提供最广泛的耐化学性,可用于大多数湿化学工艺安装。由于其几乎通用的耐化学性和低污染,它们仍然是这些应用的最佳选择。湿化学过程不涉及许多人的高温热的等离子体流程。然而,弹性体密封件必须抵抗伴有胺,侵蚀性剥离溶液和酸等侵略性的化学侵蚀。化学侵袭经常导致弹性体的肿胀,这又导致挤出和降解随时间。

下表显示兼容的和推荐的弹性体材料等级。主要等级在关键过程/工具展示位置的方向上进行调整。

过程/应用程序 温度范围 过程媒体 主要材料 兼容材料
清洁/蚀刻 25°C - 150°C(77°F - 302°F) updi,piranha,sc1,SC.2,O.3.,hf(49%),h3.4.,HNO.3. MBMS0022 Rev2,MBMS0585,MBMS0020 MBMS0391.
光刻抗蚀条带 25°C - 125°C(77°F - 257°F) H2所以4.+氧化剂,有机酸,NMP,胺 MBMS0022 Rev2,MBMS0585,MBMS0020 MBMS0391.
铜电镀ECD 25°C - 100°C(77°F - 212°F) Cuso.4.解决方案H.2所以4., H2O.2 MBMS0022 Rev2,MBMS1119

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