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热处理

半导体制造 - 热过程

“热过程”一词涵盖了广泛的安装范围。这些安装温度通常高于等离子体工艺,可以高达+ 300°C。此外,基于热基装置不仅需要密封材料,还需要具有特定的耐化学性需求,而且还需要具有良好机械特征和低压缩装置的材料。

热量过程包括:

  • 原子层沉积(ALD)
  • 低压化学气相沉积(LPCVD)
  • 子大气化学气相沉积(SACVD)
  • 快速热处理(RTP)
  • 金属化学气相沉积
  • 氧化
  • 退火

在这些过程中,将它们的晶片和围绕它们的机器加热至极高的温度。这些过程通常包括使用臭氧,氧气或臭氧和高能量UV辐射的混合物。通过热沉积,高温有助于涂层厚度的均匀性。

热处理应用

大量应用与等离子体过程中列出的应用非常相似,但是热过程通常具有更高的应用温度。对于这些类型的应用,适当的弹性体槽设计变得更为重要。高应用温度导致大的热膨胀全氟弹性体。为了适应这种热膨胀,沟槽设计的体积必须足够。否则,这是全氟弹性体密封件将覆盖凹槽,挤出并因此在应用中恶化。

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热过程中的材料要求 -全氟弹性体

这些方法的弹性体选择的主要考虑是耐高温性。对于许多这些安装,使用填充有标准填料如炭黑的弹性体。这些橡胶不会暴露于观察到的敌意蚀刻要求等离子体过程。在热过程中,弹性体需要忍受高温并在暴露于高温循环后保持密封力,这在弹性体上极其苛刻并加速密封力(压缩集)。通过使用炭黑填料提供了对密封力损失的最佳抵抗力。

正在考虑的另一个关键因素是最小的outgassing.在高温下,以防止晶片表面的污染。在高温下的最低放气全氟弹性体。通过多种不同的方法,即高温灯可以获得高应用温度。在这些类型的安装中,具体FFKM.建议材料产品以获得菲律宾亚博会最佳性能。

下表指出给定应用的兼容和推荐的弹性体材料等级。主要等级在关键过程/工具展示位置的方向上进行调整。

过程/应用程序 温度范围 过程媒体 主要材料 兼容材料
金属CVD.

al

LPCVD.

25°C - 300°C

(77°F - 572°F)

有机前体,WF6.,Ticl.4.,SIH.4.,sihcl.3.,SIH.2CL.2,SICL.4.,ar,n2, H2,NH.3.,hf,hcl,f2,cl.2,CIF3.,NF.3., H2o蒸气,o2,O.3. MBMS1108 MBMS0825,MBMS0021 Rev2
SACVD. 25°C - 300°C

(77°F - 572°F)

TEP,Tebo,Teos,O3.,O.2,n2,NF.3. MBMS1108,MBMS1040 MBMS0825,MBMS0021 Rev2,MBMS0245
氧化扩散 100°C - 300°C

(212°F - 572°F)

N2,O.2, H2o,pocl.3.,bbr.3.,PH.3.,B.2H6.,hcl,cl2 MBMS1108,MBMS0245 MBMS1040,MBMS0825,MBMS0021 Rev2
RTP和热氧化 100°C - 300°C

(212°F - 572°F)

红外辐射,o2, 溪流 MBMS1040,MBMS0021 Rev2 MBMS0245,MBMS0825
UV治愈 100°C - 300°C

(212°F - 572°F)

N2,ar,o2,O.3. MBMS0245,

MBMS0825

MBMS0729.

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