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等离子体过程

半导体制造 - 等离子体工艺

血浆过程是弹性体中最敌对的,特别是那些易受化学品和/或靠近基板或晶片的弹性体。弹性体的最敌对的血浆方法包括氧气抗磁带和基于自由基的等离子体(例如远程NF3.)和腔室使用远程等离子体源(RPS)清洁。

每个密封件,特别是关键位置中的一个封印将在一段时间内劣化/腐烂。这些弹性体必须在高温(高达+ 250℃)下进行,并继续保持低偏离的脱气和低粒子,以消除污染制造过程。在几种情况下,在围绕高温和等离子体气体周围的特殊腐蚀性下,6-8周大约是密封的长期使用寿命。所有化学品没有增强密封材料或与每个工具放置和/或产品类别相关。我们建议/推荐产品/材料的充分选择将提供以下优点:菲律宾亚博会

  • 低侵蚀比
  • 降低设备效率和电源的占地面积
  • 降低耗材成本(COC)
  • 在应用程序上进行成本优化的指导条件
  • 其中临界,中/低粒子放电比率
  • 其中临界,低痕量金属水平

等离子体工艺应用

密封件可用于密封装置的多样性,包括门密封件,凸缘的定心环,排气阀,窗户密封件,阀门密封件,腔盖密封,也是晶片传送的缓冲。这些安装中的每一个都有各种需求,因此要注意并充分了解每个应用程序的准确要求非常重要。具有这种理解可以帮助最大限度地提高使用寿命,并提高最佳弹性体生产率。

等离子体过程

等离子体过程中的材料要求 -全氟弹性体

性能需求可能因弹性体放置而变化。在靠近等离子体源附近的位置,靠近晶片,在等离子体气体中,存在许多离子。这使其成为密封表面的积极环境。因此,在这样的位置,建议使用填充的弹性体。未填充的弹性体会迅速恶化并导致泄漏。

然而,在等离子体物流中也发现如自由基的颗粒,但是被认为是较少的腐蚀性。它们仍然可以损坏密封面,但比离子的速度损坏。主要从等离子体源或晶片下的腔室区域进一步放置的弹性体易受这些周围环境的影响。由于表面破坏的较低,该区域中的弹性体可以是不填充或轻填充的。

在排气管中,密封的清洁不是一个大问题。这是因为弹性体颗粒起源于用废气扫除系统。当然,随着时间的推移,材料将在腔室墙上构建。当发生这种情况时,腔室将需要清洁程序,通常是敌叠的等离子体气体清除沉积物。

下表指出给定应用的兼容和推荐的弹性体材料等级。主要等级在关键过程/工具展示位置的方向上进行调整。

过程/应用 温度。范围 过程媒体 主要材料 兼容的材料
PECVD / HPDCVD. 25°C - 300°C

(77°F - 572°F)

SIH.4.,n2,NH.2,n2o,不,有机硅烷/硅氧烷,o2,CF.4., C2F6., C3.F8.,SF.6.,SIF4.,NF.3. MBMS1108,MBMS1040 MBMS0825,MBMS0729
抵抗条/灰 25°C - 200°C

(77°F - 392°F)

O.2,CF.4.,SF.6.,CHF.3.,NH.3., H2, H2o,不,n2o,形成气体 MBMS1040,MBMS0825 MBMS0245,MBMS0729
介质蚀刻 25°C - 200°C

(77°F - 392°F)

H2,O.2,CO,CO2, 不,不2,n2o,cs.2,cos,cf4.,CH.4.,CHF.3., C2F4., C2F6., C3.F8., C4.F6., C4.F10., C5.F8., C6.F6.,SF.6. MBMS1040,MBMS1108 MBMS0825,MBMS0245,MBMS0729
指挥蚀刻 25°C - 200°C

(77°F - 392°F)

CF.4.,CHF.3., C2F6., C3.F8.,SF.6.,hbr,bcl3.,SICL.4.,ccl.4.,cl.2,ccl.2F2,O.2,co,no,n2o,NF.3. MBMS0825,MBMS1040 MBMS0245,MBMS0729,MBMS1119

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